SJ 50033.92-1995 半导体分立器件 3CD100型低频大功率晶体管详细规范
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ID： |
301A02C1FA7C416AADA054A9FE32AD85 |
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文件大小(MB)： |
0.61 |
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页数： |
11 |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/92-1995,半导体分立器件,3CD100型低频大功率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3CD100,low-fyequency and high-povver transistor,1995-05-25 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,キ华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3CD100型低频大功率晶体管,详细规范,SJ 50033/92-1995,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3CD100,Low-frequency and high-power transistor,1范,1.1 主题内容,本规范规定了 3CD100B.F型低频大功率晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,1.3,本规范适用于器件的研制、生产和采购,分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的产品保证等级为普军、特军和超,持军三级,分别用字母GP.GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587—84,GB 7581—87,GJB 33—85,GJB 128—86,双极型晶体管测试方法,半导体分立器件外形尺寸,半导体分立器件总规范,半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或镣层,中华人民共和电子工业部!995-05-25发布1995-12-01 实施,—1 —,SJ 50033/92-1995,3.2.2 器件结构,采用扩散台面或外延台面结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 7581的B2-01C型及如下的规定。见图1〇,图1外形图,3.3最大额定值和主要电特性,3.3J最大额定值,V,型号Tc = 25V,(W),VcBO,V,Vceo,V,3CD100B 100 100,3CD100C 150 150,3CD100D 100 200 200,3CD100E 250 250,3CD100F 300 300,注：1) 丁モ＞25匕时按666mW/V的速率线性地降额0,Vebo,4,mm,符2,B2-01C,min nom max,A,8.63,12.19,中氏1.52,扬2 0.966 1.092,須22.86,d 5.46,F 3.50,L 13.9,Li 1.52,知3.84 4.21,q 29.90 30.40,13.58,Rz 4.82,s 16.89,5 40.13,u2 27.17,1—基极,2ー发射极,集电极接外壳,T1 ?tg,A,10 175 -55-175,2,SJ 50033/92-1995,3.3.2主要电特性（Ta = 25匕）,?FE1,Vce = 5V,Ici = 5 . OA,lc2 ~ 2. 5A,VcEset Hisat,fC1 = 5.0A JBl = 1.0A,[C2 = 2.5A ム2 = 0，5 A,(V) (V),最大值,3CD100,B.F,绿:60~120,蓝：100~180,1.5 1.,/t,Vce=5V,女=LOA,/=lMHz,MHz,最小值,R (th)j — c,vCE=wv,33.5A,25匕 < Tc&75匕,r/w,最小值,2.0 1.5,最决值,注:l）/ci和Ibi为3CD100B~C的测试电流;,Z和,皿为3CD100D~F的测试电流,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33及本规范的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33的规定,4.2鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予剔除,筛选,（见GJB 33的表2）,测试或试验,7.中间电参数测试,.功率老炼,JcBOl 和 ^FEl,功率老炼条件如下:,"=162.5± 12.5匕,VCE = 25V,PQ50W,9最后测试,按本规范表1的A2分纟,△150I4初始值的100%或300MA,取较大者,△五fe!&初始值的±20%,4.4质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定,—3 —,SJ 50033/92-1995,4.4 J A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验方法,检验方法应按本规范相应的表和下列规定:,4.5.1 脉冲测试,脉冲测试条件应按GJB 128的3.3.2.1的规定,表1 A组检验,检验或试验,- -H J-IL 1~LT-l'l,厶丒分组,外观及机械检验,A2分组,集电极丒发射极,击穿电压,3CD100B,3CD100C,3CD1OOD,3CD100E,3CD100F,发射极一基极,击穿电压,集电极丒基极,截止电流,集电极ー发射极,截止电流,集电极一发射极,……
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